特許
J-GLOBAL ID：200903066705720777
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163878
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードとpn接合ダイオードを混成した半導体装置の周囲のガードリング領域に近接した部分で、pn接合ダイオード領域の間隔が広くなることを防いで高耐圧化を可能にする。【構成】pn接合ダイオード領域と等電圧の印加されるガードリング領域のpn接合ダイオード領域に対向する部分を突出させ、対向領域間の間隔および突出部相互間の間隔を、逆電圧印加時にpn接合より広がる空乏層がつながる程度に狭くすることにより、ショットキーバリア領域の逆方向漏れ電流を低減することができる。
請求項（抜粋）：
第一導電形の半導体層の表面層に環状の第二導電形のガードリング領域に囲まれて複数の第二導電形のpn接合ダイオード領域が形成され、ガードリング領域およびpn接合ダイオード領域を含めて前記半導体層表面に、その半導体層とショットキーバリアを形成する金属層の接するものにおいて、ガードリング領域がpn接合ダイオード領域に対向する部分において突出して形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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