半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240423
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093106
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】素子面積を大きくすることなく、高耐圧かつ低抵抗の半導体装置を提供する。【解決手段】ドレイン電極層11上に形成されたドレイン層12に、不純物を拡散させて、ゲート電極層14及びドレイン電極拡散層17を形成する。ゲート電極層14は、その後の熱処理によってドレイン電極層11に到達しないように、ドレイン電極拡散層17は、その後の熱処理によってドレイン電極層11に到達するように形成する。その後、ゲート層13、ソース層15、及びソース電極層16を形成してSITとする。電圧印加により外周部の空乏層はゲート電極層14側からドレイン電極拡散層17側へと水平に広がる。

請求項（抜粋）：

PN接合を含み、動作に関与する能動領域と、該能動領域を囲む外周部とを有する半導体装置において、前記PN接合に電圧を印加したときの空乏層の広がりが、前記外周部において水平方向となるようにしたことを特徴とする半導体装置。

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