特許
J-GLOBAL ID：200903066711574049
金属間化合物系超電導磁気シールド体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243778
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 金属間化合物超電導材料を用いた磁気シールド用底附き円筒において超電導遮蔽電流を妨害する欠陥がなく、漏洩磁場を抑えられることと、加工性が良く常電導金属との多層化、大面積化が容易であること。【構成】 X金属元素の層とY金属元素かまたはYを含む合金からなる層とが板の厚さ方向に1層以上ずつ交互に積層され、かつ両者の全界面には組成X3 Yの金属間化合物系超電導層が形成されてなる磁気シールド用底附き円筒体とクラッド圧延および深絞り等を用いてなるその製造法。【効果】 従来は接合のない底附き円筒容器が開発されておらず両端開口部からの漏洩磁場が大きかったが、本発明によれば底附きである上、開口端の穴を小さくすることも可能であり、漏洩磁場を大幅に抑えられる。またクラッド圧延、深絞り等の採用により円筒の大型化も容易になった。
請求項（抜粋）：
NbまたはVのいずれかであるX金属元素からなる層と、Sn,Ga,Si,Al,Geのうち少なくとも1種以上であるY金属元素からなるかまたはYが成分をなす合金からなる層とが板の厚さ方向に少なくとも1層以上ずつ交互に積層され、かつ両者のすべての界面にはX元素またはY元素の拡散により形成された組成X3 Yなる金属間化合物系超電導層が存在する一体化した多層複合板からなる、軸方向および周方向に切れ目または接続部のない底付き筒形容器であることを特徴とする金属間化合物系超電導磁気シールド体。
IPC (3件)：
H05K 9/00
, H01L 39/00 ZAA
, B32B 1/02
