特許

J-GLOBAL ID：200903066713204184

単結晶シリコンウェーハの歪付け方法

発明者： 桝村 寿 ,  中野 正己 ,  工藤 秀雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109360
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321119
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 従来よりも高密度の表面欠陥(最大で107 cm-2程度)を安定して発生させることができ、デバイスプロセスでの重金属汚染のゲッタリングに役立ち、ウェーハ裏面からの発塵性を低下できる単結晶シリコンウェーハの裏面歪付け方法を提供する。【構成】 単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研磨布で研磨することにより該裏面に歪層を形成するにあたり、平均粒径0.1〜10μmのシリカ粒子を含むpH4〜9の研磨液を用いる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研摩布で研摩することにより該裏面に歪層を形成するにあたり、平均粒径0.1〜10μmのシリカ粒子を含むpH4〜9の研摩液を用いることを特徴とする単結晶シリコンウェーハの歪付け方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/304 321