特許

J-GLOBAL ID：200903066714938459

トランジスタおよびその製造方法

発明者： 松原 亮平
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-345456
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150156
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用いた場合でも、ソース電極、ドレイン電極間のキャリア効率の良好なトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記ソース電極とドレイン電極の、少なくとも半導体活性層と接触する接触面を低仕事関数面とすることにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記ソース電極とドレイン電極の、少なくとも半導体活性層と接触する接触面を低仕事関数面としたことを特徴とするトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (9件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 370

Fターム (57件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF33 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK38 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ06