特許

J-GLOBAL ID：200903066718659414

金属薄膜の形成方法

発明者： 新村 俊樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032225
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227856
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】コリメータスパッタ法による金属薄膜の形成方法において、単位成膜パワーあたりの成膜速度及び、ボトムカバレッジを上昇させ、コリメータ及びターゲットの交換頻度を減らす。【構成】チャンバー1にセットする金属ターゲット2として、原子間隔の最も短い結晶軸とほぼ直交する面をスパッタ面とする単結晶の金属ターゲットを用いる。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に設けられた金属ターゲットと基板ホルダーとの間にスパッタ粒子の飛行方向を制御するコリメータを設け、前記基板ホルダー上に保持された半導体基板上に金属薄膜を形成する方法において、前記金属ターゲットとして原子間隔の最も短い結晶軸とほぼ直交する面をスパッタ面とする単結晶の金属ターゲットを用いることを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/285 S