特許
J-GLOBAL ID:200903066728394249
半導体製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
沼形 義彰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-063606
公開番号(公開出願番号):特開2002-270578
出願日: 2001年03月07日
公開日(公表日): 2002年09月20日
要約:
【要約】【課題】 低コストでプラズマ処理装置の電流や電圧、位相差などを測定することができる半導体製造装置を提供することである。また、プラズマ処理装置の高周波電圧印加用の給電ラインの電流や電圧、位相差などの測定装置の着脱が容易な半導体製造装置を提供することである。【解決手段】 プラズマ処理装置に使用される高周波電圧印加用の給電ライン19を分割、この分割した箇所を電気的に接続するための導電体として、単に分割された給電ラインを電気的に接続する部材20と、電圧や電流、位相差などの測定装置21のいずれも接続可能な構成とする。低コストでプラズマ処理装置の電流や電圧、位相差などを測定することができる半導体製造装置を提供できる。また、プラズマ処理装置の高周波電圧印加用の給電ラインの電流や電圧、位相差などの測定装置の着脱が容易に行える。
請求項(抜粋):
プラズマを用いて半導体ウエハに処理を施す半導体製造装置において、プラズマを生成するために印加する高周波電圧もしくはウエハにバイアス電圧を加えるための高周波電圧の少なくとも一方の給電ラインを分割し、該分割した箇所を電気的に接続するように、前記給電ラインの電圧もしくは前記給電ラインを流れる電流の少なくとも一方を測定する機構を備えた測定装置を設けるかまたは、前記分割した箇所を単に接続するように導体を設けるか、ユーザの選択により容易に変更可能な構成としていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, B01J 19/00
, B01J 19/08
, H05H 1/46
FI (4件):
B01J 19/00 G
, B01J 19/08 H
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
Fターム (26件):
4G075AA30
, 4G075AA56
, 4G075AA65
, 4G075BC06
, 4G075BD14
, 4G075CA25
, 4G075CA57
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC13
, 4G075EC21
, 4G075EC25
, 4G075ED20
, 4G075EE07
, 4G075EE12
, 4G075EE23
, 4G075EE36
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 4G075FC17
, 5F004BA06
, 5F004BB29
, 5F004CA07
, 5F004CB07
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