特許

J-GLOBAL ID：200903066730317243

レーザー処理方法

発明者： 寺本 聡 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  浜谷 敏次
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198042
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045839
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 レーザー光の照射によって結晶性の優れた珪素薄膜を形成する。【構成】 加熱室104とレーザー光を照射する室103とロボットアーム106とを備えたレーザー処理装置において、レーザー光を照射するための珪素膜が形成された基板を加熱室において、450°C〜750°C程度の温度に加熱し、しかるのちに、同じく450°C〜750°Cの温度に保たれた状態において、室103においてレーザー光を照射する。こうすることで、結晶性が良好で、ほぼ単結晶または単結晶と見なせる珪素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、加熱処理を施し前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、該工程において結晶化された珪素膜に対してレーザー光を照射する工程と、を有し、前記レーザー光の照射時において、試料は前記加熱処理時の温度の±100°C以内に保たれていることを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (8件)：

H01L 21/20 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336