半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067802
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】半導体基板を透過するような長波長帯の光に感度を有する受光素子を歪み超格子構造を以て形成する。【構成】 GaAs基板上には、GaAs層と、InGaAs層からなる超格子構造部が形成される。InGaAs層のバンドギャップΔ2 は、GaAs層のバドギャップΔ6 やGaAs基板のバンドギャップΔ1より小さくされ、その結果、基板を透過する長波長帯の光にも感度を有する。これらGaAs層とInGaAs層は、格子定数が異なるために臨界膜厚の制限が生ずるが、GaAs層とInGaAs層の間の格子不整合面には、厚みx1,x3 の部分でポテンシャルが傾斜したグレーテッド層が形成され、格子定数の差が緩和されて有効な膜厚での受光が可能となる。

請求項（抜粋）：

格子定数が異なり且つそのうちの少なくとも1層が光吸収層となる複数の化合物半導体層を積層して構成された超格子構造を有する半導体受光素子において、その格子不整合面に格子定数の差を緩和するグレーテッド層を形成してなることを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-224469
特開昭62-291191

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