特許

J-GLOBAL ID：200903066734237961

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 山田 裕康
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029321
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 レーザ照射によりアモルファスシリコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とする際、ポリシリコンの結晶粒径を大きくする。【構成】 絶縁基板1の上面の空洞部5の部分にメタル層を形成し、全表面に絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3にエッチング用孔4を形成する。次に、メタル層用エッチング液でウエットエッチングを行ない、エッチング用孔4を介してメタル層をすべて除去し、絶縁基板1と絶縁膜3との間に空洞部5を形成する。次に、絶縁膜3の上面に半導体薄膜(アモルファスシリコン薄膜)6をパターン形成し、この半導体薄膜6にエキシマレーザを照射して該半導体薄膜6をアニールする。この場合、レーザエネルギを吸収した半導体薄膜6から絶縁基板1への放熱を空洞部5の断熱作用によって抑制することができ、このため一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

下方に断熱用の空洞部が形成された絶縁膜上に活性層となる半導体薄膜を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Z ,  H01L 21/265 B