特許

J-GLOBAL ID：200903066740013331

成膜装置及び成膜方法並びに成膜装置の洗浄方法

発明者： 松瀬 公裕
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036425
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115064
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 処理室内に付着した金属膜あるいは金属化合物膜を隅々に亘って除去することができる成膜装置の洗浄方法を提供すること。【構成】 処理室内にWF6 ガスを導入してウエハにW膜を成膜した後、処理室内にClF3 ガスを導入して処理室内をクリーニングする。この際ClF3 ガスは処理室内の隅々に供給されるので、成膜処理により処理室内のどのような場所に金属膜が付着してもこれを除去することができる。なおクリーニング時の条件としては、ClF3 ガスの流量が毎分5リットル以下、処理室内温度が0〜500°C、処理室内圧力が0.1〜100Torrであることが望ましい。また処理ガスのガス吹出板に冷媒流路を設けてこれを直接冷却すれば、この部分でのガスの反応が抑えられ、ガス吹出板における付着物が少なくなり、ウエハの膜厚の面間均一性も向上する。

請求項（抜粋）：

気密構造の処理室内に処理ガスを導入して金属または金属化合物を被処理体に成膜する成膜装置において、前記被処理体に対して成膜を行った後、フッ化塩素ガスを前記処理室内に毎分5リットル以下の流量で導入して、処理室内温度0〜500°C、処理室内圧力0.1〜100Torrの条件で当該処理室内を洗浄することを特徴とする成膜装置の洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-061317
  
• 特開平1-017857
  
• 特開昭61-110767