特許
J-GLOBAL ID：200903066743162699
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058428
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259156
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、平坦性を損なうことなく膜の架橋密度を向上させて膜質を向上させることができるシリコン酸化物薄膜を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 有機シランガスとH及びOH含有化合物ガスを含むガスを反応させてシリコン酸化物薄膜を形成した後、該シリコン酸化物薄膜をアニール処理するとともに、該シリコン酸化物薄膜に含まれる有機成分を励起することが可能な波長の紫外線を照射して該シリコン酸化物薄膜中の有機成分を除去する工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
有機シランガスとH及びOH含有化合物ガスを含むガスを反応させてシリコン酸化物薄膜を形成した後、該シリコン酸化物薄膜をアニール処理するとともに、該シリコン酸化物薄膜に含まれる有機成分を励起することが可能な波長の紫外線を照射して該シリコン酸化物薄膜中の有機成分を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/302
