特許
J-GLOBAL ID：200903066745331277
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260653
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】ゲート絶縁膜の耐圧が高く、チャネル部におけるキャリアの移動度が大きい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1をエッチングして溝4を形成し、半導体基板1表面上に溝4の領域を開口するように形成されているマスク材層3をマスクとして溝4の内壁面に露出する半導体基板1に選択的に半導体層10を形成し、マスク材層3を除去し、溝4の内壁面に形成された半導体層10上および半導体基板1の表面上に絶縁膜5を形成し、この絶縁膜5上の少くとも溝4の内部に導電体6を埋め込む。
請求項（抜粋）：
半導体基板をエッチングして溝を形成する工程と、前記半導体基板表面上に前記溝領域を開口するように形成されているマスク材層をマスクとして前記溝の内壁面に露出する前記半導体基板に選択的に半導体層を形成する工程と、前記マスク材層を除去する工程と、前記溝の内壁面に形成された半導体層および前記半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上の少なくとも前記溝の内部に導電体を埋め込む工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 E
