特許

J-GLOBAL ID：200903066750068401

多層配線構成体

発明者： 草野 一孝 ,  江口 益市 ,  浅野 昌也
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283867
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】この発明は、基板上に形成した第1層の金属配線と、該第1層の配線を覆う第1層のポリイミド絶縁膜と、該第1層のポリイミド絶縁膜に形成された開口を介して前記第1層の金属配線に接続された第2の金属配線と、該第2層の金属配線を覆い、かつ上記第1層のポリイミド絶縁層に接合された第2層のポリイミド絶縁膜とを最小構成単位として具備する多層配線構成体において、該n層のポリイミド絶縁膜とn-1層のポリイミド絶縁膜の少なくとも一方の接合面を、放電処理とアルカリ処理が順次施されたもので構成したものである。【効果】本発明の多層配線構成体によれば、低応力のポリイミドを用いた場合にもポリイミドとポリイミドの接着性低下を防止できるため、ポリイミドを層間絶縁膜として用いた多層配線構成体の信頼性向上に大きく寄与するものである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した第1層の金属配線と、該第1層の配線を覆う第1層のポリイミド絶縁膜と、該第1層のポリイミド絶縁膜に形成された開口を介して前記第1層の金属配線に接続された第2の金属配線と、該第2層の金属配線を覆い、かつ上記第1層のポリイミド絶縁層に接合された第2層のポリイミド絶縁膜とを最小構成単位として具備する多層配線構成体において、該第n層のポリイミド絶縁膜と第n-1層のポリイミド絶縁膜の少なくとも一方の接合面は、放電処理とアルカリ処理が順次施されてなるものであることを特徴とする多層配線構成体。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-283699
  
• 特開昭62-281499
  
• 特開昭63-148658