特許
J-GLOBAL ID：200903066752411057
常圧気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267178
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】ヒーター温度を変化させて半導体ウエハー表面に成長させる薄膜の膜厚均一性向上のための試行作業回数を低減し、生産性向上と省力化を達成する。【構成】ヒーター温度を変化させて半導体ウエハー3の表面に薄膜を成長させた時の膜厚変化分布とヒーター温度の変化分布の相関データベースを備えて、最適なヒーター温度に制御する。
請求項（抜粋）：
ヒーター温度を変化させて半導体ウエハー表面に薄膜を成長させた時の膜厚変化量分布とヒーター温度の変化量分布の相関データを登録したデータベースを備え、膜厚分布のデータと現状のヒータ温度から自動的に最適なヒーター温度を計算し、制御することを特徴とする常圧気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, B01J 19/00
, C30B 25/16
