不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102754
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297987
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMにおけるデータの反転によるエラーを防止する。【構成】 EEPROMを繰り返し書き換えていくとゲート酸化膜が徐々に劣化していく。しかし、劣化していく途中の過程では劣化の程度が小さいため、元の状態に修復可能である。そこで、メモリセルに異なるゲート電圧を印加してデータの読出しを行い、読出されるデータの値が同じかどうかを判別してメモリセルトランジスタの閾値電圧の変化を検出する。閾値電圧が変化している場合には、データの再書込みを行う。【効果】保持データの状態遷移が未然に防止される。

請求項（抜粋）：

データの再書込み可能な不揮発性のメモリセルトランジスタ群からなる1つ若しくは複数の記憶領域を有する情報記憶部と、前記メモリセルトランジスタのゲートに印加するための複数レベルの電圧を発生する電圧源と、第1のレベルの電圧若しくは第2のレベルの電圧を用いて指定された記憶領域のメモリセルトランジスタ群からデータを読出す読出手段と、前記第1のレベルの電圧を用いて読出されたデータを保持する第1のデータ保持手段と、前記第2のレベルの電圧を用いて読出されたデータを保持する第2のデータ保持手段と、前記第1及び第2のデータ保持手段に保持されたデータ同士を比較し、比較結果に基づいて前記指定された記憶領域のデータの再書込みを指令するデータ比較手段と、を備える不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 510 E , G11C 17/00 309 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-175998
特開平1-138699
特開昭64-017300

全件表示

前のページに戻る