特許

J-GLOBAL ID：200903066756648612

面発光ダイオード

発明者： 安東 孝止 ,  大木 明 ,  前仏 栄
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104100
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283746
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 青〜青緑色発光領域の発光波長が得られ、かつこの発光が高効率で得られるようにする。【構成】 n+ -GaAs基板11上にn型ZnS0.07Se0.93からなるバッファ層12を形成し、その上にZnSqSe1-q-ZnSrSe1-r:q=0,r=1:厚さ50Å×50層からなるn型超格子光反射層13およびZnSxSe1-x-CdyZn1-ySe-ZnSxSe1-x:x=0.1,y=0.2,各層厚100Å,集積回数=5からなる絶縁型の多重量子井戸発光層14を順次形成し、さらにその上にp型ZnSpSe1-p:p=0.1からなる光透過層15を形成し、光透過層15に上には半透明電極16を形成し、n+ -GaAs基板11の下部には下部電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

ZnS<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>-Cd<SB>y</SB>Zn<SB>1-y</SB>Se-ZnS<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>(ただし0≦x≦1,0<y<1)からなる単一量子井戸構造の少なくとも1層から形成される発光層と、ZnS<SB>w</SB>Se<SB>1-w</SB>(ただし0≦w≦1)からなる光反射層との積層構造を有することを特徴とする面発光ダイオード。