薄膜太陽電池およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曽々木太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332437
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163957
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】長波長側の感度が向上され、しかも光劣化が小さい薄膜太陽電池およびその製法を提供する。【構成】本発明の薄膜太陽電池は、ガラス基板1上に、透明導電膜2、PIN半導体層および裏面電極6が、この順で形成されてなる薄膜太陽電池であって、前記PIN半導体層のP層3が、薄膜多結晶P型シリコンからなり、前記PIN半導体層のI層4が、I型アモルファスシリコンからなり、前記PIN半導体層のN層5が、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンからなるものである。また、本発明の薄膜太陽電池の製法は、ガラス基板1上に、透明導電膜2、PIN半導体層および裏面電極6を、この順で形成する薄膜太陽電池の製法であって、前記PIN半導体層のP層3を、薄膜多結晶P型シリコンとし、前記PIN半導体層のI層4を、I型アモルファスシリコンとし、前記PIN半導体層のN層5を、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンとするものである。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に、透明導電膜、PIN半導体層および裏面電極が、この順で形成されてなる薄膜太陽電池であって、前記PIN半導体層のP層が、薄膜多結晶P型シリコンからなり、前記PIN半導体層のI層が、I型アモルファスシリコンからなり、前記PIN半導体層のN層が、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンからなることを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (29件)

特開昭63-170976
特開昭63-170976
特開昭63-014420

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