特許

J-GLOBAL ID：200903066768148968

圧力測定装置

発明者： 嶋村 和郎 ,  江端 誠 ,  中村 公弘 ,  斎藤 雅男
出願人/特許権者： 三井造船株式会社 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015001
公開番号（公開出願番号）：特開平5-209800
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 シールダイヤフラムを備える圧力測定装置において、シールダイヤフラムへの測定流体側からの水素透過を防止する。【構成】 シールダイヤフラム10の測定流体30A側表面に、水素透過防止金属層1、中間金属層2及び絶縁層3を順次積層コーティングする。中間金属層2は、水素透過防止金属層1を構成する金属よりもイオン化傾向が大きく、かつ、水素透過防止金属層1を構成する金属の線膨張係数と絶縁層3を構成する材料の線膨張係数との中間の線膨張係数を有する金属よりなる。水素透過防止金属層1により、シールダイヤフラム10への水素の透過が防止される。絶縁層3により、耐食性が確保されると共に、測定流体側表面での電気化学反応が防止され局部電池の形成によるガルバニック腐食が防止される。

請求項（抜粋）：

圧力を測定すべき流体と、圧力検出部への圧力伝達用の媒体とを隔離するシールダイヤフラムが設けられた圧力測定装置において、該シールダイヤフラムの測定流体側表面に、水素透過防止金属層、中間金属層及び絶縁層が、該絶縁層が測定流体接触側となるように順次積層コーティングされてなり、前記中間金属層は、水素透過防止金属層を構成する金属よりも電気的に卑であり、かつ、水素透過防止金属層を構成する金属の線膨張係数と絶縁層を構成する材料の線膨張係数との中間の線膨張係数を有する金属よりなることを特徴とする圧力測定装置。