特許

J-GLOBAL ID：200903066771370540

導電膜及び低反射導電膜の製造方法

発明者： 森本 剛 ,  平塚 和也 ,  竹宮 聡 ,  阿部 啓介 ,  久保田 恵子
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339985
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151839
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【構成】Ru化合物と、Tl、Pb、Bi、Cd、Sr、Ba、及び希土類元素の各元素の化合物のうち少なくとも1種とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱して導電膜を形成する。この導電膜上に、Siアルコキシド等を含む液を塗布後加熱して、導電膜より低屈折率の膜を形成して、2層からなる低反射導電膜を形成する。【効果】真空を必要とする大がかりな装置を用いずに、効率良く優れた低反射導電膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

Ru化合物と、Tl、Pb、Bi、Cd、Sr、Ba、及び希土類元素の各元素の化合物の内少なくとも1種とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することにより導電膜を形成することを特徴とする導電膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01B 13/00 503 ,  C01B 13/32 ,  C01G 23/00 ,  C01G 29/00 ,  H01B 5/14 ,  H01J 9/20