高周波モジュール用基板装置、高周波モジュール装置及びこれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176350
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368428
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】高精度、高機能で薄型化され、パッケージの小型化、低価格を図るようにする。【解決手段】有機ベース基板5に多層配線を行い最上層を平坦化してビルドアップ形成面3としたベース基板部2と、ビルドアップ形成面3上に薄膜技術や厚膜技術により絶縁層31,33を介して受動素子を有する多層の配線層32,34を形成した高周波回路部4とからなる。高周波回路部4の内層側配線層31に高周波用インダクタ素子37が成膜形成されるとともに内層側配線層31よりも層厚に形成される表層側配線層34に低周波用インダクタ素子38が成膜形成される。

請求項（抜粋）：

ベース基板の主面上に多層の配線層が形成されるとともに平坦な最上層の主面がビルドアップ形成面を形成してなるベース基板部と、上記ベース基板部のビルドアップ形成面上にビルドアップ形成された多層の配線部からなり、それぞれの配線部に誘電絶縁層を介して配線パターンが形成されるとともに受動素子が成膜形成されてなる高周波回路部とから構成され、上記高周波回路部には、内層側の配線部内に高周波帯域用のインダクタ素子が成膜形成されるとともに、上記内層側配線部よりも層厚とされた表層側の配線部内に低周波帯域用のインダクタ素子が成膜形成されることを特徴とする高周波モジュール用基板装置。

IPC (3件)：

H05K 3/46 , H01L 23/12 , H01L 23/12 301

FI (6件)：

H05K 3/46 Q , H05K 3/46 B , H05K 3/46 L , H05K 3/46 U , H01L 23/12 301 J , H01L 23/12 B

Fターム (35件)：

5E346AA02 , 5E346AA13 , 5E346AA14 , 5E346AA15 , 5E346AA43 , 5E346BB06 , 5E346CC08 , 5E346CC09 , 5E346CC10 , 5E346CC13 , 5E346CC16 , 5E346CC21 , 5E346CC32 , 5E346DD03 , 5E346DD12 , 5E346DD17 , 5E346DD24 , 5E346DD32 , 5E346DD33 , 5E346DD47 , 5E346DD48 , 5E346EE32 , 5E346EE33 , 5E346FF07 , 5E346FF14 , 5E346FF18 , 5E346GG15 , 5E346GG17 , 5E346GG22 , 5E346HH04 , 5E346HH06 , 5E346HH17 , 5E346HH22 , 5E346HH24 , 5E346HH32

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