特許
J-GLOBAL ID：200903066774682372
シリコン基板スライスロスの処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341434
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182124
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：
【要約】【課題】高い純度シリコンのウエハ切り出しの切削屑を、冶金的な手段により、安価に回収する。【解決手段】ワイヤソー又は高圧水でスライスされた高純度シリコンの切削屑を酸洗浄して乾燥した後、プラズマジェット中に水素とともに供給し、このプラズマジェットを水冷銅ターゲットに吹きつけて、冷却塊を生成させ、この冷却塊を回収し、再び高純度シリコンとして利用する。
請求項（抜粋）：
ワイヤソーでスライスされた高純度シリコンの切削屑を酸洗浄して乾燥した後、プラズマジェット中に供給し、該プラズマジェットを水冷銅ターゲットに吹きつけ、該水冷銅ターゲット上に冷却塊を生成させ、該冷却塊を回収することを特徴とするシリコン基板スライスロスの処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/02 Z
, B01J 19/08 E
