特許

J-GLOBAL ID：200903066776109530

パターン形成方法

発明者： 伊藤 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-197144
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 ハーフトーン位相シフト法を用いた場合においても、レジストパターン中央部の膜減を抑制することができ、良好なレジストパターンを形成することのできるパターン形成方法を提供すること。【構成】 透光性基板(SiO2 )20上に、透過光に対して光学的な位相差を与える半透明材料(Si)21からなるマスクパターンを形成した露光用マスクを用いて、Si基板22上に形成された感光性樹脂膜23に対し露光・現像を行い所望のパターンを作成するパターン形成方法において、感光性樹脂膜23として、パターンのエッジに該当する部分の像強度Ieに相当する光強度Eを与た時にマスクパターンの中心部で得られる最大光強度をE′とし、この光強度E′と同じ光強度で感光性樹脂膜全面に照射した場合に残膜率が90%以上を維持するポジ型レジストを用いたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、透過光に対して光学的な位相差を与える半透明材料からなるマスクパターンを形成した露光用マスクを用いて、半導体基板上に形成された感光性樹脂膜に対し露光・現像を行い所望のパターンを作成するパターン形成方法において、感光性樹脂膜として、所望のパターンが所望寸法通りに解像する光強度Ic(このときのエッジに該当する部分の像強度Ieに相当する光強度E)を与えた時、マスクパターンの中心部で得られる最大光強度をE′とし、この光強度E′と同等の光強度で感光性樹脂膜全面に照射した場合に残膜率が所望値以上を維持するポジ型レジストを用いたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 341 S ,  H01L 21/30 361 F