特許

J-GLOBAL ID：200903066776354569

磁電変換素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222629
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079031
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 ヘテロ接合ホール素子において、高感度化を達成する。【構成】 ヘテロ接合界面から感磁部層に向かって、全体の層厚の20%以内の範囲の領域に歪層を与える。【効果】 感磁部層の電子移動度を低下させずに高感度のヘテロ接合ホール素子を安定的に提供できる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体のヘテロ接合を具備してなる磁電変換素子において、感磁部層内のヘテロ接合界面から感磁部層の膜厚の20%以内の領域に歪層を存在させたことを特徴とする磁電変換素子。