特許

J-GLOBAL ID：200903066776622458

薄膜製造装置および薄膜製造方法

発明者： 広中 克行 ,  文 範基 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-073146
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ放電を発生させる電極間に原料ガスの均一な流れを作り出すことにより、大面積の基板に均一な品質の酸化物薄膜を形成するとともに、パーティクルの発生の抑制して歩留りの向上を図る。【解決手段】 反応室11内に対向する状態に配置された第1の電極21と第2の電極22との間にプラズマ放電を発生させて薄膜を成膜する第1の薄膜製造装置1において、反応室11内に噴き出し口を設けたもので対向する第1の電極21面および第2の電極22面に対してほぼ平行な方向に、薄膜を成膜するための原料ガスを噴き出すノズル12と、第1の電極21もしくは第2の電極22のほぼ中央部に形成したもので反応室11内のガスが排気される排気口23とを備えたのである。

請求項（抜粋）：

反応室の内部に対向する状態に配置された第1の電極と第2の電極との間にプラズマ放電を発生させて薄膜を成膜する薄膜製造装置において、前記反応室内に噴き出し口を設けたもので前記対向する第1の電極面および前記第2の電極面に対してほぼ平行な方向に、前記薄膜を成膜するための原料ガスを噴き出すノズルと、前記第1の電極のほぼ中央部もしくは前記第2の電極のほぼ中央部に形成したもので前記反応室内のガスが排気される排気口とを備えたことを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (5件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X

Fターム (63件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030GA06 ,  4K030HA04 ,  4K030JA03 ,  4K030KA05 ,  4K030KA18 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045DP04 ,  5F045EB06 ,  5F045EE02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK05 ,  5F045EM10 ,  5F045HA16 ,  5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF73 ,  5F058BG03 ,  5F058BH03