特許
J-GLOBAL ID:200903066781359536
積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-326846
公開番号(公開出願番号):特開2001-143957
出願日: 1999年11月17日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】 機械的強度が大きく、実装性に優れ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを、簡便な工法で安価に提供する。【解決手段】 上下主面に設けられた保護層と、前記保護層の間に内部電極と誘電体層とを交互に積層した構成を有する積層セラミックコンデンサの生チップから、積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記生チップを所定の温度で熱処理する工程と、前記熱処理した生チップを金属化合物の溶液または懸濁液中に浸漬した後、乾燥する工程と、前記生チップを脱バインダした後、前記内部電極材料が酸化しない雰囲気ガス中で焼成する工程と、前記焼結した生チップを面取りする工程と、前記面取りした生チップに端子取り出し用外部電極を設ける工程とを含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
請求項(抜粋):
上下主面に設けられた保護層と、前記保護層の間に内部電極と誘電体層とを交互に積層した構成を有する積層セラミックコンデンサの生チップから、積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記生チップを所定の温度で熱処理する工程と、前記熱処理した生チップを金属化合物の溶液または懸濁液中に浸漬した後、乾燥する工程と、前記生チップを脱バインダした後、前記内部電極材料が酸化しない雰囲気ガス中で焼成して、焼結チップとする工程と、前記焼結チップを面取りする工程と、前記面取りした焼結チップに端子取り出し用外部電極を設ける工程とを含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
IPC (3件):
H01G 4/12 364
, C04B 35/64
, H01G 4/30 311
FI (3件):
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311 D
, C04B 35/64 L
Fターム (54件):
5E001AB03
, 5E001AC03
, 5E001AC04
, 5E001AC09
, 5E001AD02
, 5E001AD03
, 5E001AE00
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AF00
, 5E001AF06
, 5E001AG00
, 5E001AH00
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH06
, 5E001AH08
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BC33
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082EE42
, 5E082FF13
, 5E082FG06
, 5E082FG22
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG52
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG26
, 5E082GG28
, 5E082HH43
, 5E082JJ03
, 5E082JJ05
, 5E082JJ12
, 5E082JJ21
, 5E082JJ23
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082LL03
, 5E082LL35
, 5E082MM22
, 5E082MM24
, 5E082MM40
, 5E082PP06
引用特許:
審査官引用 (4件)
-
特開平2-192448
-
特開平2-086110
-
特開平2-192448
前のページに戻る