特許

J-GLOBAL ID：200903066783483510

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 太田 啓之 ,  田中 利之 ,  渡辺 温
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058917
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 組成比の異なるIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)の多層構造からなる半導体発光素子における隣接層間界面を起点とするクラックの発生を抑制する。【解決手段】 多層構造内の隣接する二層のうち上層の格子定数よりも下層の格子定数が大きい界面近傍にはIII族窒化物半導体とは異なる元素を他の部分よりも高い濃度で添加する。

請求項（抜粋）：

互いに異なる組成比のIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)を基板上に順次積層して得られる多層構造の半導体発光素子であって、前記多層構造内の隣接する二層のうち上層の格子定数よりも下層の格子定数が大きい界面近傍には前記III族窒化物半導体とは異なる元素が他の部分よりも高い濃度で添加されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/30

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Fターム (30件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F045EE15 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB06 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002546   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-180170   出願人：住友化学工業株式会社
• 化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-358633   出願人：ソニー株式会社