特許

J-GLOBAL ID：200903066786678222

半導体回路

発明者： 山崎 舜平 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230647
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078690
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜12に密着して触媒元素を有する物質を選択的に形成し、もしくはアモルファスシリコン膜中に触媒元素を選択的に導入し、このアモルファスシリコン膜13にレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって結晶化させる。そして、触媒元素の少ない結晶シリコン領域をアクティブマトリクス回路の画素回路に使用されるTFTに、触媒元素の多い結晶シリコン領域を周辺駆動回路に使用されるTFTに用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたモノリシックアクティブマトリクス回路において、周辺駆動回路を構成する少なくとも一部の薄膜トランジスタの活性領域には1×1016〜5×1019cm-3の濃度でシリコンの結晶化を助長する金属元素が添加されており、マトリクス領域の薄膜トランジスタの活性領域には前記金属元素が添加されておらず、前記周辺駆動回路を構成する少なくとも一部の薄膜トランジスタのチャネル形成領域と前記マトリクス領域の薄膜トランジスタのチャンネル形成領域とはモノドメイン構造を有する薄膜シリコン半導体膜で構成されていることを特徴とする半導体回路。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G