特許

J-GLOBAL ID：200903066787717167

静電容量式圧力検出器

発明者： 中村 公弘 ,  高橋 正人 ,  南雲 睦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045264
公開番号（公開出願番号）：特開平11-241966
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】部材の接合に複数回の静電接合が適用でき、かつ直接的には静電接合ができないセラミックス材料にも静電接合が適用できる構造の静電容量式圧力検出器を提供する。【解決手段】ダイアフラム17及び18が形成されているシリコン基板1の両面には、セラミックス基板の両面にパイレックスガラス層202 及び203 あるいは302 及び303 が形成されている2つの絶縁基板A2a及び絶縁基板B3aが、パイレックスガラス層202 とパイレックスガラス層302 とによって静電接合されており、絶縁基板A2aのパイレックスガラス層203 には絶対圧力検出部8aの圧力基準室を形成するための蓋81a が静電接合されている。セラミックス基板の両面に形成されたパイレックスガラス層202 及び203 等が両面の静電接合を可能とする。

請求項（抜粋）：

圧力に応じて変位する可動電極としてのダイアフラムを有する導電性基板と、ダイアフラムに対向する位置に固定電極及び導圧孔が設けられており、かつ導電性基板の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数を有する絶縁性基板とが接合されて形成され、少なくとも1つの圧力検出手段を備えている静電容量式圧力検出器において、絶縁性基板が両面にガラス層を有するセラミックス板からなり、導電性基板と絶縁性基板とが静電接合によって接合されていることを特長とする静電容量式圧力検出器。