特許

J-GLOBAL ID：200903066789211708

発光素子及びその製造方法

発明者： 萩本 和徳
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435468
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197296
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 成長用基板や加工ダメージ層を化学エッチングにより除去する際に、Ag系金属層に腐食が生ずることを効果的に防止でき、ひいては製造歩留まりが良好で、反射による光取出し効率も高めることができる発光素子。【解決手段】 化合物半導体よりなる発光層部24の一方の主表面を光取出面とし、該発光層部24の他方の主表面側に素子基板7が結合される。また、素子基板7と発光層部24との間には、Agを主成分として、Au、Pd及びRuからなる第一群副成分の1種以上と、Cu、Ti、Cr、Ta、Ni、Mo、Al及びNbからなる第二群副成分の1種以上とを含有するAg系合金にて構成され、発光層部24からの光を光取出面側に反射させるAg系合金層10が配置される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に素子基板が結合されるとともに、該素子基板と前記化合物半導体層との間に、Agを主成分として、Au、Pd及びRuからなる第一群副成分の1種以上と、Cu、Ti、Cr、Ta、Ni、Mo、Al及びNbからなる第二群副成分の1種以上とを含有するAg系合金にて構成され、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させるAg系合金層を介在させたことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230977   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287623   出願人：松下電子工業株式会社