特許

J-GLOBAL ID：200903066793626912

磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： 大山 達史 ,  中田 正宏 ,  的野 直人
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322170
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349031
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 シャント層は小さい膜厚で比抵抗が小さく、また、高温においても、シャント層の比抵抗が上昇したり、シャント層とMR素子との界面での拡散反応により、MR素子の特性を劣化させることないMRヘッドを提供する。【構成】 下部シールド層3と上部シールド層9との間に、MR素子5と、該MR素子5にバイアス磁界を印加するシャント層7と、前記MR素子5と前記シャント層7との両方に電流を流すための電極層6とを形成したMRヘッドにおいて、前記シャント層7を結晶粒径が150Å以上のMoにより形成したことを特徴する。

請求項（抜粋）：

下部シールド層と上部シールド層との間に、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するシャント層と、前記磁気抵抗効果素子と前記シャント層との両方に電流を流すための電極層とを形成した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記シャント層を結晶粒径が150Å以上であるMoにより形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。