特許
J-GLOBAL ID：200903066796049479
半導体薄膜の結晶化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163408
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 ポリシリコン薄膜をより一層広い範囲にわたって単結晶化する。【構成】 絶縁基板1の上面にポリシリコン薄膜2を堆積し、次いでエキシマレーザを照射すると、ポリシリコン薄膜2のある程度の範囲が再結晶化することにより、ある程度単結晶化されたポリシリコン薄膜3が形成される。次に、ある程度単結晶化されたポリシリコン薄膜3の上面に再度ポリシリコン薄膜4を堆積し、次いでエキシマレーザを照射すると、両ポリシリコン薄膜3、4がある程度単結晶化されたポリシリコン薄膜3を核として再々結晶化することにより、より一層広い範囲にわたって単結晶化されたポリシリコン薄膜5が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成したポリシリコン薄膜をレーザアニールにより再結晶化することにより、ある程度単結晶化されたグレインを有するポリシリコン薄膜を形成し、このポリシリコン薄膜上にもう一層ポリシリコン薄膜を堆積し、前記両ポリシリコン薄膜にレーザを照射して前記ポリシリコン薄膜を核として再々結晶化することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
IPC (2件)：
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