特許

J-GLOBAL ID：200903066797166738

半導体レーザ装置

発明者： 古谷 章 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人 ,  棚橋 俊之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233708
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085385
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置、特に赤色可視光で発光する半導体レーザ装置に関し、バレンスバンド端の不連続部分がなく、ヘテロ界面において電流が拡がることなく、電流電圧特性の優れた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 p-GaAs基板10上にp-AlGaInPクラッド層18とn-AlGaInPクラッド層22によりInGaP活性層20を挟んだダブルヘテロ構造が形成された半導体レーザ装置において、p-GaAs基板10とp-AlGaInPクラッド層18の間に、バレンスバンド端がp-GaAs基板10側において連続し、バンドギャップエネルギがp-AlGaInPクラッド層18側に近付くにしたがって徐々に大きくなる第1グレーデッド中間層28を設ける。

請求項（抜粋）：

p-GaAs基板と、前記p-GaAs基板上に形成されたp-AlGaInPクラッド層と、前記p-AlGaInPクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたn-AlGaInPクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、前記p-GaAs基板と前記p-AlGaInPクラッド層の間に、バレンスバンド端が前記p-GaAs基板側において連続し、バンドギャップエネルギが前記p-AlGaInPクラッド層側に近付くにしたがって徐々に大きくなる第1のグレーデッド中間層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。