特許

J-GLOBAL ID：200903066797883383

光導波路の製造方法

発明者： 岡村 浩司 ,  有馬 忠夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263633
公開番号（公開出願番号）：特開平5-100123
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は火炎堆積法を用いた光導波路の製造方法の改良に関し、加熱によりコアが変形しにくく且つ損失特性が劣化しにくい量産に適した光導波路の製造方法の提供を目的とする。【構成】コア24′の外表面を覆うように低温CVD法により薄膜層26を形成し、この薄膜層を加熱してアニーリングを行った後に、火炎堆積法によりアウタークラッド28′を形成する。

請求項（抜粋）：

主としてSiO2 からなる比較的低屈折率なアンダークラッド(22)上に火炎堆積法により主としてSiO2 からなる比較的高屈折率なコア層(24)を形成するステップと、該コア層(24)をパターンエッチングして所定形状のコア (24′) を形成するステップと、該コアの外表面を覆うように上記アンダークラッド(22)上に低温CVD法により主としてSiO2 からなる薄膜層(26)を形成するステップと、該薄膜層を加熱してアニーリングするステップと、該薄膜層上に火炎堆積法により主としてSiO2 からなる上記アンダークラッドと同等屈折率のアウタークラッド (28′) を形成するステップとを含むことを特徴とする光導波路の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-267509
  
• 特開平3-018803
  
• 特開平2-221904