特許
J-GLOBAL ID：200903066802439934
固体撮像素子及びその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160230
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032045
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の低減につながる界面特性の安定化を共に達成させる。【構成】 N形のシリコン基板11に形成された第1のP形ウェル領域12に受光部1と転送チャネル領域14がそれぞれ配列・形成され、この転送チャネル領域14上にゲート絶縁膜19を介して転送電極20が選択的に形成され、この転送電極20を含む全面にPSG膜22が形成され、このPSG膜22上に転送電極20を覆うようにAL遮光膜24が形成されたイメージセンサにおいて、受光部1の周辺部にP-SiN膜23をサイドウォール形状に形成し、少なくとも受光部1に対応する部分にPSG膜22とほぼ同じ光屈折率を有するP-SiO膜25を少なくとも受光部1を覆うように形成して構成する。
請求項（抜粋）：
同一基板に受光部と転送チャネル領域がそれぞれ配列・形成され、上記転送チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して転送電極が選択的に形成され、該転送電極を含む全面に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に上記転送電極を覆うように遮光膜が形成された固体撮像素子において、上記受光部の周辺部に水素含有膜がサイドウォール状に形成され、少なくとも上記受光部に対応する部分に上記層間絶縁膜とほぼ同じ光屈折率を有する保護絶縁膜が少なくとも上記受光部を覆うように形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 27/148
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H04N 5/335
