特許
J-GLOBAL ID：200903066803092504
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318581
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 反応室内の気相中に存在する反応種ガスにより生じる等方的なエッチング反応を進行させることなく、励起光照射領域のみを選択的にエッチングすることを可能にしたドライエッチング方法を提供する。【構成】 反応室11内の基板13のドライエッチングにおける反応の励起源としての真空紫外線ないし軟X線領域の波長の光17と、該反応室11に導入される反応種ガスを用いて、該基板13の該光17の照射領域を選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、前記反応種ガスは、水素または重水素のうちの少なくとも一方が含まれるガスで構成されることを特徴とする。また、本発明のドライエッチング方法における反応種ガスは、プラズマ発生源16を経由させ、活性化させてから上記反応室11へ導入されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
反応室内の基板のドライエッチングにおける反応の励起源としての真空紫外線ないし軟X線領域の波長の光と、該反応室に導入される反応種ガスを用いて、該基板の該光の照射領域を選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、前記反応種ガスは、水素または重水素のうちの少なくとも一方が含まれるガスで構成されることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
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