特許

J-GLOBAL ID：200903066805716181

半導体装置とその製造方法

発明者： 青木 伸俊 ,  楠 直樹 ,  齋田 繁彦 ,  水島 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057118
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 より浅い不純物拡散層を形成する。【解決手段】 ソース/ドレイン領域等の不純物拡散層を形成する半導体領域に予め、膜厚1nm程度の薄い不純物拡散抑制層を埋め込み形成しておく。アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域内の上層部に形成された、第2導電型の不純物拡散領域と、前記不純物拡散領域中に形成された不純物拡散抑制層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/22 Z ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (13件)：

5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EF09 ,  5F040EM04 ,  5F040FA02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA10 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC05