特許

J-GLOBAL ID：200903066806809094

絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 中村 和年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138379
出願日： 1990年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】不純物の拡散を防止し、信頼性の高い薄膜絶縁ゲイト型半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明によると、絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたリンを含む第1の酸化珪素膜と、前記第1の酸化珪素膜上に形成された第2の酸化珪素膜と、前記第2の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された前記第3の酸化珪素膜と、前記第3の酸化珪素膜上に形成されたリンを含む第4の酸化珪素膜とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-001071
  
• 特開昭64-035961
  
• 特公昭51-026035