特許
J-GLOBAL ID：200903066809751976
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-238712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090011
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】n形基板の一面側にp層を形成したのち、他面側にn++層を形成してpin構造にするとき、p層を覆う保護膜の欠陥等からの不純物の侵入により局部的にn層ができることを防ぐ。【構成】n形基板の両面からの不純物拡散によりp層を形成したのち、再度不純物拡散を行って表面にp++層を形成しておく。これにより、一方のp層、p++層を除去したのちに残った他方のp++層表面を保護膜で覆い、p層を除去したあとにn++層を形成する。予め形成したp++層をこのn++層より深くしておけば、保護膜の欠陥等からn型不純物が侵入しても、n層まで達してn転させることはない。
請求項（抜粋）：
低不純物濃度の第一導電形の基板の両面から真性半導体を第二導電形にする不純物を拡散してそれぞれ第二導電形の層を形成したのち、一方の第二導電形層を除去し、つづいて他方の第二導電形層の表面を保護膜で被覆したのち、保護膜で被覆されない表面から不純物を導入して高不純物濃度の第一導電形の層を形成する半導体装置の製造方法において、第二導電形の層を形成するための不純物導入を二度行い、表面層を高不純物濃度の第二導電形の層とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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