特許

J-GLOBAL ID：200903066810053956

無機レジスト膜形成方法

発明者： 藤田 淳一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144274
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015868
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 無機レジストでナノメータサイズのパターン形成を行う。【構成】 シリコン基板1上に、カリックスアレン膜2を塗布する。その上にフッ化リチウムにフッ化アルミニウムを添加した無機レジスト3を形成し、電子線露光を行う。カリックスアレン膜2上にレジスト3を形成するので、レジスト膜成長初期の島成長及び下地との反応がなく、その結果極めて微細な粒子で構成されるようになる。粒子の平均粒径は約3nmである。EB露光で60nmピッチ、5nm線幅のラインアンドスペースが描画できる。レジスト膜成長時の基板温度を-70°Cに下げると粒径は3nm以下になり、さらに微細なパターン形成が可能である。更に、サスペンデッドマスクのような、下地の有機膜にある程度の厚みが必要な場合には、下地膜に電子線照射しておくことで、下地膜の形状変形を回避できる。

請求項（抜粋）：

MFX (Mはリチウム、マグネシウム、ストロンチウム、カルシウム、バリウム等の金属イオン)で表示されるハロゲン化物による無機レジスト膜の形成方法において、このハロゲン化物にフッ化アルミニウムを添加剤として加え、これを基板上にレジスト膜として形成する方法であって、有機膜を下地層とした上に前記無機レジスト膜を形成する事を特徴とする無機レジスト膜形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 ,  C01F 11/22 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 503