特許

J-GLOBAL ID：200903066811073578

向上させた基板をベースとした集積回路パッケージ

発明者： ツィウ シー. チャン ,  ローレンス ピー. エング
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149740
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067971
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 改良した集積回路パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の集積回路パッケージ及びその製造方法は、基板及び該基板に固着されている少なくとも一つの集積回路を有している。該基板は、好適には、従来のシリコン処理技術に基づいて構成された複数個の相互接続層を具備するシリコンウエハを有している。複数個の集積回路を集積回路の高い集積度を達成するような態様で単一基板上に装着することが可能である。この集積回路パッケージは、例えばCMOS、バイポーラ、パワーMOS、アナログ回路、ディスクリート装置、BCDなどの混合技術を包含することの可能な単一基板を提供する。

請求項（抜粋）：

集積回路パッケージにおいて、基板、前記基板に固定されている少なくとも1個の集積回路、を有しており、前記基板がシリコン基板を有していることを特徴とする集積回路パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18

FI (4件)：

H01L 23/14 S ,  H05K 1/18 U ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 W