特許

J-GLOBAL ID：200903066817373735

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 裕之 ,  岡山 芳央
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256316
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107141
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 平坦性及び膜質の良好な層間絶縁膜を得ること。【解決手段】 Si基板1上に下層金属配線3を形成した後、デバイスの全面にシリコン酸化膜4を形成し、その上に有機SOG膜5を形成し、このSOG膜5にアルゴンイオンを注入する。こうすることにより、膜が改質されて、膜に含まれる水分や水酸基が減少し且つ膜が吸水しにくくなる。更に、改質SOG膜6の表面に生じた凹部7に電子線を照射することで、凹部7を膨張させて、膜表面の凹凸を平坦化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に対し、運動エネルギーを有する不純物を注入した後、前記絶縁膜の所定箇所に電子線を照射することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/88 K