特許

J-GLOBAL ID：200903066817790590

絶縁膜、絶縁膜形成用材料および絶縁膜の形成方法

発明者： 西川 通則 ,  林 英治 ,  塩田 淳 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206162
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026002
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低比誘電率を示し、かつ酸素プラズマ耐性を有する絶縁膜を得る。【解決手段】 633nmにおける塗膜屈折率が1.37〜1.42のシリカ系膜からなることを特徴とする絶縁膜。

請求項（抜粋）：

633nmにおける塗膜屈折率が1.37〜1.42のシリカ系膜からなることを特徴とする絶縁膜。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 302 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 336 ,  H01L 21/312

FI (9件)：

H01L 21/316 G ,  B05D 5/12 D ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 302 B ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/00 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 336 ,  H01L 21/312 C

Fターム (30件)：

4D075BB21Z ,  4D075CA23 ,  4D075DC22 ,  4D075EB02 ,  4J002CP021 ,  4J002CP031 ,  4J002CP191 ,  4J002CP211 ,  4J002EE036 ,  4J002EH006 ,  4J002EP016 ,  4J002FD200 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB30