特許

J-GLOBAL ID：200903066819886390

化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法

発明者： 矢野 映 ,  福山 俊一 ,  渡部 慶二 ,  並木 崇久 ,  福田 麻奈美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045080
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241344
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅系レジストに関し、解像性に優れたレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 主鎖にP-O-Si結合をもち、側鎖に少なくともアルキル基またはアリール基を有する共重合体を基材樹脂とし、この基材樹脂と酸発生剤とで化学増幅系レジストを作り、このレジストを二層構造レジストの上層レジストとして用い、選択露光と現像により上層膜パターンを作り、このパターンをマスクとして下層膜を酸素プラズマによりドライエッチングすることを特徴としてレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

主鎖にP-O-Si結合をもち、側鎖に少なくともアルキル基またはアリール基を有する共重合体を基材樹脂とし、該基材樹脂と酸発生剤とからなることを特徴とする化学増幅系レジスト。

IPC (5件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027