特許
J-GLOBAL ID：200903066822120080
位相差マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096732
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297564
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 シフタ形成にリフトオフ法あるいはシフタ材成膜、そのエッチングにより形成する方法と、電子ビームに対して感光性のあるシフタ材を電子ビーム露光、現像により形成する方法を用い、工程数を低減可能な位相差マスクを製作する。【構成】 クロムマスク10をセットし、その上にレジストパターン14を形成し、その上にシフタ材15を成膜し、リフトオフ法により、EBレジストパターン14を除去し、第1のシフタパターンP1を形成し、その上に感光性シフタ材16を塗布し、その感光性シフタ材16のパターニングを行ない、第2のシフタパターンP2及び第3のシフタパターンP3を形成する。
請求項（抜粋）：
3種類の位相を有する位相差マスクの製造方法において、(a)クロムマスクをセットする工程と、(b)その上にレジストパターンを形成する工程と、(c)その上にシフタ材を成膜する工程と、(d)リフトオフ法により、前記レジストパターンを除去し、第1のシフタパターンを形成する工程と、(e)その上に感光性シフタ材を塗布する工程と、(f)該感光性シフタ材のパターニングを行ない、第2のシフタパターン及び第3のシフタパターンを形成する工程とを順次施すことを特徴とする位相差マスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/302
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
