特許
J-GLOBAL ID：200903066822989051
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257334
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102201
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】信号電荷に対して高感度の出力信号を得る。【構成】N型浮遊拡散層10直下のP型不純物ウェル層12を他の領域より薄くする。そしてN型半導体基板1に高い電圧を印加することで、N型浮遊拡散層の電位をセットし、前記N型半導体基板1の電圧を下げ、電荷転送部よりN型浮遊拡散層へ電荷を流し込み、N型浮遊拡散層の電位差を読取る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、前記半導体基板と反対導電型の不純物領域内に、電荷転送部と、前記電荷転送部より転送された信号電荷を受け取る浮遊拡散層とを有する半導体装置において、前記半導体基板電位により前記浮遊拡散層電位を基準電位に設定することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
, H01L 27/148
H01L 29/76 301 C
, H01L 27/14 B
