特許

J-GLOBAL ID：200903066824480199

アクテイブマトリツクス基板およびその製造方法

発明者： 松田 敏哉 ,  作島 史朗 ,  村上 茂樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275676
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114613
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【構成】 トランジスタが形成される基板1の表面に凹状溝1aを形成し、この凹状溝1aに走査信号配線およびトランジスタのゲート電極となる第一の導電層2を形成する。【効果】 第一の導電層2の線幅を細くしたままで第一の導電層2の膜厚を厚くでき、第一の導電層2の導電性を高めることができるとともに、この第一の導電層2上に形成される各層が段差になって断線や微細な亀裂が発生することを防止できる。もって、信号の遅延などがなく、高精細化できる。

請求項（抜粋）：

基板上に走査信号配線およびゲート電極となる第一の導電層、ゲート絶縁膜となる絶縁層、チャネルとなる第一の半導体層、オーミックコンタクト層となる第二の半導体層、画像信号配線およびソース・ドレイン電極となる第二の導電層を形成して成るアクティブマトリックス基板において、前記基板の表面に凹状溝を形成し、この凹状溝に前記第一の導電層を形成したことを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12