特許

J-GLOBAL ID：200903066825098964

フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板

発明者： ルートヴィヒ アルトマンスホーファー ,  マンフレート グルントナー ,  ヤニス フィルブリス
出願人/特許権者： ワッカー ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221342
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055089
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】 所定の長さにわたり150mmよりも明らかに大きな直径を有しかつこの所定の長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶を提供すること【解決手段】 単結晶が少なくとも200mmの長さにわたり少なくとも200mmの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶

請求項（抜粋）：

単結晶が少なくとも200mmの長さにわたり少なくとも200mmの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶。

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EH08 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077NA01 ,  4G077NA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン単結晶の生成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268775   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶引上装置及びこの装置を用いたシリコン単結晶製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-350122   出願人：東芝セラミックス株式会社