特許

J-GLOBAL ID：200903066826444726

半導体超微粒子の製造方法及び製造装置

発明者： 齊田 壮一郎 ,  加和 学
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-079075
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 陽性元素を含有する第1物質と陰性元素を含有する第2物質とを半導体原料とし、該第1物質又は第2物質のいずれかの水溶液を有機液相媒質に分散した逆ミセル液体を管状流通反応器内においてもう一方の半導体原料と接触させて化合物半導体結晶を有機液相媒質中で成長させ、かつ両者の接触時点の反応液相のレイノルズ数が1以上である、半導体超微粒子の製造方法。

請求項（抜粋）：

陽性元素を含有する第1物質と陰性元素を含有する第2物質とを半導体原料とし、該第1物質又は第2物質のいずれかの水溶液を有機液相媒質に分散した逆ミセル液体を管状流通反応器内においてもう一方の半導体原料と接触させて化合物半導体結晶を有機液相媒質中で成長させ、かつ両者の接触時点の反応液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (4件)：

B01J 19/00 ,  B01J 19/00 311 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

B01J 19/00 N ,  B01J 19/00 311 A ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/08 K

Fターム (18件)：

4G075AA23 ,  4G075AA27 ,  4G075AA62 ,  4G075BA06 ,  4G075BB05 ,  4G075BD15 ,  4G075EB21 ,  5F041CA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA67 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088CB18 ,  5F088CB20