特許

J-GLOBAL ID：200903066828620157

基板処理装置

発明者： 油谷 幸則
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-378852
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184702
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】基板処理装置に於いて、反応室内での反応ガスの濃度分布を均一化し、基板処理の面内均一性を向上させる。【解決手段】反応室に反応ガスを導入して基板を処理する基板処理装置に於いて、反応ガスの導入位置が基板表面と平行な面内を基板13に対して相対回転可能とした。

請求項（抜粋）：

反応室に反応ガスを導入して基板を処理する基板処理装置に於いて、反応ガスの導入位置が基板表面と平行な面内を基板に対して相対回転可能としたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 501 S ,  H01L 21/302 C

Fターム (13件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA05 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF10 ,  5F045EH14